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直流辉光放电CVD法均匀生长纳米金刚石薄膜的研究
引用本文:游志恒,满卫东,吕继磊,阳硕,何莲,徐群峰,白华,江南.直流辉光放电CVD法均匀生长纳米金刚石薄膜的研究[J].人工晶体学报,2015,44(10):2746-2750.
作者姓名:游志恒  满卫东  吕继磊  阳硕  何莲  徐群峰  白华  江南
作者单位:武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,武汉430073;中国科学院宁波材料技术与工程研究所,中国科学院海洋新材料与应用技术重点实验室,浙江省海洋材料与防护技术重点实验室,宁波315201;武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,武汉,430073;中国科学院宁波材料技术与工程研究所,中国科学院海洋新材料与应用技术重点实验室,浙江省海洋材料与防护技术重点实验室,宁波315201
基金项目:国家自然科学基金(11175137,A050610)
摘    要:采用直流辉光放电化学气相沉积设备,以H2/CH4/Ar混合气体为工作气体,在2英寸硅片沉积出了晶粒尺寸为20~ 40 nm的纳米金刚石薄膜.采用SEM、Raman、微摩擦试验机等分析了不同CH4浓度、Ar浓度对NCD薄膜生长特性的影响.研究结果表明:金刚石薄膜的晶粒尺寸随着CH4浓度的增加而减小,但是过高的CH4浓度会导致石墨相大量生成;随着Ar浓度的增加,金刚石薄膜的晶粒尺寸逐渐细化,但过量Ar的掺入会降低金刚石薄膜的质量;在合适的工艺参数下,薄膜摩擦系数最低可以降低到0.12,NCD薄膜的最大沉积直径为140 mm.

关 键 词:直流辉光放电  化学气相沉积  纳米金刚石  摩擦系数  

Uniform Growth of Nano-crystalline Diamond Thin Films by DC-glow Discharge CVD
Abstract:
Keywords:
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