| 坩埚材料对生长CdSiP2晶体表面的影响研究 |
| |
| 引用本文： | 吴敬尧,朱世富,赵北君,何知宇,陈宝军,黄巍,孙宁,林莉,王黎罡.坩埚材料对生长CdSiP2晶体表面的影响研究[J].人工晶体学报,2015,44(12):3617-3621. |
| |
| 作者姓名： | 吴敬尧 朱世富 赵北君 何知宇 陈宝军 黄巍 孙宁 林莉 王黎罡 |
| |
| 作者单位： | 四川大学材料科学系,成都,610064 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(51172149) |
| |
| 摘 要： | 针对CdSiP2晶体生长过程中,晶体表面与石英坩埚内壁严重粘连甚至开裂的问题,研究了柔性氮化硼(PBN)内衬坩埚生长CdSiP2晶体的新工艺.运用X射线能量色散谱仪(EDS)和X射线光电子能谱仪(XPS)分别对两种坩埚材料生长的CdSiP2晶体表面元素成分和化学状态进行测试发现,采用石英坩埚生长的CdSiP2晶体表面主要组分元素为33.31;的Si和65.63;的O,晶体表面Si 2p的结合能为103.2 eV,与文献中SiO2的Si 2p结合能一致.进一步的分析表明,高温CdSiP2熔体离解产物与石英材料反应生成SiO2界面层是导致晶体严重粘连,甚至开裂成碎块的重要原因;采用柔性氮化硼(PBN)内衬坩埚能有效解决晶体与器壁的粘连,生长的CdSiP2晶体完整较好,表面层各组分元素含量接近CdSiP2理论化学配比1:1:2,质量较高.
|
| 关 键 词： | CdSiP2 晶体生长 石英坩埚 氮化硼坩埚 |
Effect of Crucible Materials on the Surface of CdSiP2 Crystal |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文 |
|
