| 射频磁控溅射低温制备ITO薄膜 |
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| 引用本文： | 王秀娟,司嘉乐,杨德林,谷锦华,卢景霄.射频磁控溅射低温制备ITO薄膜[J].人工晶体学报,2015,44(6):1516-1522. |
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| 作者姓名： | 王秀娟 司嘉乐 杨德林 谷锦华 卢景霄 |
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| 作者单位： | 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,郑州,450052 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)(2011AA050501) |
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| 摘 要： | 利用射频磁控溅射法低温制备铟锡氧化物薄膜,主要研究了氧氩流量比、溅射功率、溅射压强、沉积温度和靶基距等工艺参数对ITO薄膜结构和光电性能的影响.在优化的沉积条件即氧氩流量比0.1/25、溅射功率210W、溅射压强0.2 Pa、靶基距2.0 cm和衬底为100℃的低温下制备的ITO薄膜电阻率为7.3×10-4Ω·cm、可见光范围内平均透光率为89.4;.在氩气气氛中200℃低温退火60 min后,ITO薄膜的电阻率降为3.8 ×10-4Ω·cm,透光率不变.
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| 关 键 词： | ITO薄膜 射频磁控溅射 电阻率 |
Preparation of ITO Thin Films by RF Magnetron Sputtering at Low Temperature |
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| WANG Xiu-juan,SI Jia-le,YANG De-lin,GU Jin-hua,LU Jing-xiao.Preparation of ITO Thin Films by RF Magnetron Sputtering at Low Temperature[J].Journal of Synthetic Crystals,2015,44(6):1516-1522. |
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| Authors: | WANG Xiu-juan SI Jia-le YANG De-lin GU Jin-hua LU Jing-xiao |
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