| 成核层温度对非掺杂GaN外延薄膜结晶质量的影响 |
| |
| 引用本文： | 孙成真,贾志刚,尚林,孙佩,余春燕,张华,李天保.成核层温度对非掺杂GaN外延薄膜结晶质量的影响[J].人工晶体学报,2015,44(8):2123-2129. |
| |
| 作者姓名： | 孙成真 贾志刚 尚林 孙佩 余春燕 张华 李天保 |
| |
| 作者单位： | 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部和山西省重点实验室,太原030024;太原理工大学新材料工程技术研究中心,太原030024;太原理工大学材料科学与工程学院,太原030024 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(61475110,61404089,21471111);山西省自然科学基金(2014021019-1,2014011016-6);山西省科技创新重点团队(2012041011) |
| |
| 摘 要： | 利用金属有机化学气相沉积系统(MOCVD),在蓝宝石的(0001)面采用不同的成核层生长温度,通过两步法获得不同质量的GaN外延薄膜.利用HALL测试仪,高分辨X射线衍射仪(HRXRD),原子力显微镜(AFM)和光致发光光谱仪(PL)对GaN薄膜的表面形貌,位错密度,光学性能等进行表征,研究不同的成核温度对GaN外延薄膜晶体质量的影响.结果表明,在成核层生长温度为650℃时,所得到的GaN外延薄膜表面粗糙度和位错密度均达到最低,并且同时具有最高的带边发光峰强度,最高的载流子迁移率以及最低的载流子浓度.过低或过高的成核温度都会导致GaN外延层的晶体质量和光电性能变差.
|
| 关 键 词： | GaN 金属有机化学气相沉积 成核层 生长温度 |
Effect of Nucleation Layer Temperature on the Crystal Quality of Undoped GaN Epitaxial Thin Films |
| |
| SUN Cheng-zhen,JIA Zhi-gang,SHANG Lin,SUN Pei,YU Chun-yan,ZHANG Hua,LI Tian-bao.Effect of Nucleation Layer Temperature on the Crystal Quality of Undoped GaN Epitaxial Thin Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2015,44(8):2123-2129. |
| |
| Authors: | SUN Cheng-zhen JIA Zhi-gang SHANG Lin SUN Pei YU Chun-yan ZHANG Hua LI Tian-bao |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文 |
|
