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射频功率对ITZO薄膜结构、形貌及光电特性的影响
引用本文:童杨,王昆仑,刘媛媛,李延辉,宋淑梅,杨田林.射频功率对ITZO薄膜结构、形貌及光电特性的影响[J].人工晶体学报,2015,44(9):2338-2342.
作者姓名:童杨  王昆仑  刘媛媛  李延辉  宋淑梅  杨田林
作者单位:山东大学(威海)空间科学与物理学院,威海,264209
基金项目:山东省科技发展计划(2014GGX102022);山东大学研究生科技创新基金(yjs12026)
摘    要:在室温下采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了200 nm厚的铟锡锌氧化物(ITZO)薄膜,研究了不同功率下薄膜结构、形貌、光学和电学性能的变化规律.结果表明,ITZO薄膜为非晶薄膜并且有着良好的光电特性,其平均光学透过率超过了84;,载流子霍尔迁移率高达24 em2·V-1·s-1.随着射频功率从50 W上升到100 W,薄膜的光学带隙从3.68 eV逐渐增加到3.76 eV.研究发现,薄膜的电学性能强烈依赖于射频功率.随着功率的增加,薄膜的电学性能呈现出先变好后变差的变化规律.当射频功率为80 W时,ITZO薄膜拥有最佳的电学性能,其电阻率为3.80×10-4Ω·cm,载流子浓度为6.45×1020 cm-3,霍尔迁移率为24.14 cm2·V-1· s-1.

关 键 词:铟锡锌氧化物薄膜  光学带隙  光电特性  射频功率  

Effects of RF Power on Structure,Morphology and Photoelectric Properties of ITZO Thin Films
TONG Yang,WANG Kun-lun,LIU Yuan-yuan,LI Yan-hui,SONG Shu-mei,YANG Tian-lin.Effects of RF Power on Structure,Morphology and Photoelectric Properties of ITZO Thin Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2015,44(9):2338-2342.
Authors:TONG Yang  WANG Kun-lun  LIU Yuan-yuan  LI Yan-hui  SONG Shu-mei  YANG Tian-lin
Abstract:
Keywords:
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