| 反应烧结碳材料表面异质外延生长SiO2晶体的研究 |
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| 引用本文： | 张旺玺,梁宝岩,王艳芝,张艳丽,孙玉周,穆云超.反应烧结碳材料表面异质外延生长SiO2晶体的研究[J].人工晶体学报,2015,44(11):3103-3107. |
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| 作者姓名： | 张旺玺 梁宝岩 王艳芝 张艳丽 孙玉周 穆云超 |
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| 作者单位： | 中原工学院材料与化工学院,郑州,450007;中原工学院建筑工程学院,郑州,450007 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(11472316);河南省教育厅重点项目(13A430132,151RTSTHN004);河南省基础与前沿技术研究计划(132300410164);河南省省院科技合作项目(122106000051,142106000193);河南省教育厅自然科学研究计划项目资助(12A430024,13A430128,14A430007) |
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| 摘 要： | 利用高温反应烧结在不同结构碳材料表面热蒸发进行二氧化硅(SiO2)晶体的外延生长.采用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和电子能谱仪(EDS)分析和研究了碳材料表面生成物的物相组成与显微形貌,探讨了SiO2晶体的外延生长机理.研究结果表明,不同结构碳材料表面能外延生长SiO2晶体,但形态不同.在碳纤维表面形成颗粒和短晶须状SiO2晶体,在石墨片上形成凸起团聚状SiO2晶体,而在金刚石表面首先形成了Si-O涂层,然后在Si-O涂层上生长棒状SiO2体.碳材料外延生长SiO2晶体是首先通过热蒸发法使Si沉积到碳材料表面,然后Si与体系中的O反应形成SiO2晶核,在不同结构碳材料表面生长SiO2晶体.
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| 关 键 词： | 热蒸发法 碳材料 二氧化硅 异质外延生长 |
Heteroepitaxial Growth of SiO2 Crystal on Surface of Carbon Based Materials by Reactive Sintering |
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| ZHANG Wang-xi,LIANG Bao-yan,WANG Yan-zhi,ZHANG Yan-li,SUN Yu-zhou,MU Yun-chao.Heteroepitaxial Growth of SiO2 Crystal on Surface of Carbon Based Materials by Reactive Sintering[J].Journal of Synthetic Crystals,2015,44(11):3103-3107. |
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| Authors: | ZHANG Wang-xi LIANG Bao-yan WANG Yan-zhi ZHANG Yan-li SUN Yu-zhou MU Yun-chao |
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| Keywords: | |
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