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20 kV/20 kHz/100 A高压脉冲源设计
引用本文:石小燕, 丁恩燕, 梁勤金, 等. 20 kV/20 kHz/100 A高压脉冲源设计[J]. 强激光与粒子束, 2018, 30: 045002. doi: 10.11884/HPLPB201830.170360
作者姓名:石小燕  丁恩燕  梁勤金  杨周炳  张运检
作者单位:中国工程物理研究院 应用电子学研究所, 高功率微波技术重点实验室, 四川 绵阳 621900
基金项目:国家重点研发计划资助项目2017YFF0104300
摘    要:
设计了一种基于功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)为开关的高压脉冲电源。采用自匹配传输线结构线路形式,串联多个以光纤信号隔离触发的MOSFET作为高耐压开关,在传输线的外皮产生2个纳秒脉冲,再用传输线变压器对2个纳秒脉冲进行功率合成,在200 Ω负载上输出了幅度20 kV,重复频率20 kHz,脉冲宽度约40 ns的脉冲。
分析脉冲源装置结构,对实验装置建立仿真模型,阐述了输出波形畸变的原因,给出了影响输出脉冲波形特性的因素,为下一步优化波形工作提供了理论参考。


关 键 词:高压脉冲   自匹配传输线   光隔离   传输线变压器   功率合成
收稿时间:2017-09-07
修稿时间:2017-11-27
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