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数百千伏电压下杆箍缩二极管模拟
引用本文:屈俊夫, 马勋, 赵娟, 等. 数百千伏电压下杆箍缩二极管模拟[J]. 强激光与粒子束, 2018, 30: 055003. doi: 10.11884/HPLPB201830.170432
作者姓名:屈俊夫  马勋  赵娟  李洪涛
作者单位:1.中国工程物理研究院 流体物理研究所, 四川 绵阳 621900;;2.中国工程物理研究院 研究生院, 四川 绵阳 621999
基金项目:中国工程物理研究院流体物理研究所发展基金项目SFZ20150202
摘    要:
为了探索杆箍缩二极管(RPD)在冲击加载下物质低密度区成像应用中的可行性,开展了低电压(≤500 kV)运行条件下RPD箍缩物理特性模拟研究。基于Particle-in-cell(PIC)模拟方法,从二极管加载电压幅值、阴极盘厚度、阴阳电极孔径比等方面开展了二极管模拟,从电子箍缩效率、质子流、电子利用率、电场和磁场分布等角度对箍缩物理过程进行了分析。模拟表明:低电压运行条件下普通结构二极管电流较低,不能为电子提供足够的磁场力从而导致较低的电子箍缩效率;采用组合杆结构,并优化阳极杆到轫致辐射靶区的过渡区设计,是在低电压条件下实现小焦斑、高剂量辐射光源的值得探索的技术途径。

关 键 词:杆箍缩二极管   PIC模拟   闪光照相   箍缩效率   辐射成像
收稿时间:2017-11-03
修稿时间:2018-01-14
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