| ZnS型薄膜电致发光器件中能谷转移过程的蒙特卡罗模拟 |
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| 引用本文： | 赵辉,王永生,徐征,徐叙瑢.ZnS型薄膜电致发光器件中能谷转移过程的蒙特卡罗模拟[J].物理学报,1999,48(3):533-538. |
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| 作者姓名： | 赵辉 王永生 徐征 徐叙瑢 |
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| 作者单位： | 北方交通大学光电子技术研究所，北京 100044;北方交通大学光电子技术研究所，北京 100044;北方交通大学光电子技术研究所，北京 100044;北方交通大学光电子技术研究所，北京 100044 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(批准号：715-0082)及高等学校博士学科点专项基金(批准号：97000401)资助的课题. |
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| 摘 要： | 计算了ZnS中电子谷间散射的速率.利用蒙特卡罗方法，研究了ZnS型薄膜电致发光器件中电子的能谷转移过程.得出了能谷转移的瞬态过程，电场对谷间分布的影响以及不同能谷中电子动能分布的特点.提出了高能谷的能量存储效应.这些结果可作为研究电致发光过程的基本数据.
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MONTE CARLO SIMULATION ON ELECTRON INTERVALLEY TRANSFER PROCESS IN ZnS-TYPE THIN-FILM ELECTROLUMINESCENT DEVICES |
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| ZHAO HUI,WANG YONG-SHENG,XU ZHENG and XU XU-RONG.MONTE CARLO SIMULATION ON ELECTRON INTERVALLEY TRANSFER PROCESS IN ZnS-TYPE THIN-FILM ELECTROLUMINESCENT DEVICES[J].Acta Physica Sinica,1999,48(3):533-538. |
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| Authors: | ZHAO HUI WANG YONG-SHENG XU ZHENG and XU XU-RONG |
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| Abstract: | Based on the calculation about intervalley scattering rates in ZnS, intervalley transfer process in ZnS-type thin-film electroluminescent devices is investigated through Monte Carlo simulation. The transient process of intervalley transfer, the influence of electric field on intervalley distribution and the electron kinetic energy distributions in different valleys are obtained. We propose that high valley could store energy. These results could be used as the basic data on the study of electroluminescent process. |
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