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MOCVD反应器热流场的数值模拟研究
引用本文:钟树泉,任晓敏,王琦,黄辉,黄永清,张霞,蔡世伟.MOCVD反应器热流场的数值模拟研究[J].人工晶体学报,2008,37(6):1342-1348.
作者姓名:钟树泉  任晓敏  王琦  黄辉  黄永清  张霞  蔡世伟
作者单位:北京邮电大学光通信与光波导教育部重点实验室,北京,100876
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划),国家高技术研究发展计划(863计划),教育部长江学者和创新团队发展计划,国家自然科学基金,国家自然科学基金,教育部跨世纪优秀人才培养计划,高等学校学科创新引智计划,北京市教委共建项目,北京市科技新星计划项目 
摘    要:本文以低压、旋转、垂直喷淋结构的MOCVD反应器为对象,应用二维数学模型分析与计算,对反应器内部的质量输运过程进行了比较详细的研究与讨论.通过计算发现:在一定范围内,增加进气流量Q、降低操作压力P、设定适宜的生长温度t、保持合理的基座转速ω等,不仅可以非常有效地抑制热浮力效应,同时也使衬底表面流体的流动速度进一步增加,从而实现反应器内部的流场和温度场的均匀分布.研究的结果,不仅为高品质的外延生长提供了有效的解决方案,而且也为MOCVD反应器的优化设计提供了重要的参考依据.

关 键 词:MOCVD  反应器  输运过程  热对流  

Numerical Simulation of Flow and Temperature Field in MOCVD Reactor
ZHONG Shu-quan,REN Xiao-min,WANG Qi,HUANG Hui,HUANG Yong-qing,ZHANG Xia,CAI Shi-wei.Numerical Simulation of Flow and Temperature Field in MOCVD Reactor[J].Journal of Synthetic Crystals,2008,37(6):1342-1348.
Authors:ZHONG Shu-quan  REN Xiao-min  WANG Qi  HUANG Hui  HUANG Yong-qing  ZHANG Xia  CAI Shi-wei
Abstract:
Keywords:MOCVD
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