| 低介电常数介质薄膜的研究进展 |
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| 引用本文： | 王娟,张长瑞,冯坚. 低介电常数介质薄膜的研究进展[J]. 化学进展, 2005, 17(6): 0-1011 |
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| 作者姓名： | 王娟 张长瑞 冯坚 |
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| 作者单位： | 国防科技大学航天与材料工程学院,新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,长沙,410073;国防科技大学航天与材料工程学院,新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,长沙,410073;国防科技大学航天与材料工程学院,新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,长沙,410073 |
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| 基金项目： | 武器装备预研项目(41312040307) |
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| 摘 要： | 用低介电常数介质薄膜作金属线间和层间介质可以降低超大规模集成电路(ULSI) 的互连延迟、串扰和能耗。从介质极化的原理出发,揭示了开发低介电常数介质薄膜的可能途径;综述了低介电常数介质薄膜的制备方法、结构与性能表征、工艺兼容性等领域的最新进展。
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| 关 键 词： | 低介电常数介质薄膜 多孔薄膜 SSQ基介质 纳米多孔SiO2薄膜 含氟氧化硅(SiOF)薄膜 含碳氧化硅(SiOCH)薄膜 有机聚合物介质 |
| 文章编号： | 1005-280X（2005）06-1001-11 |
| 收稿时间： | 2004-10-01 |
| 修稿时间： | 2005-04-01 |
The Development of Low Dielectric Constant Films |
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| Wang Juan,Zhang Changrui,Feng Jian. The Development of Low Dielectric Constant Films[J]. Progress in Chemistry, 2005, 17(6): 0-1011 |
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| Authors: | Wang Juan Zhang Changrui Feng Jian |
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| Affiliation: | Key Laboratory of Advanced Ceramic Fibers &Composites,College of Aerospace and Material Engineering ,National University of Defense Technology,Changsha 410073,China |
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| Abstract: | Low dielectric constant(low k) films used as intermetal or interlevel dielectrics can minimize interconnect resistance/capacitance(RC) delay,power consumption and cross talk of ULSI.The possible ways to lower the k values of dielectric films are revealed based on analysis of molecule polarization.The synthesis,structure,properties and process interaction of low k dielectrics are reviewed.Characterization techniques for low k dielectric films are summarized. |
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| Keywords: | low dielectric constant films porous films silsesquioxane(SSQ) based dielectrics nanoporous silica films fluorine doped silica film(SiOF) carbon doped silica film(SiOCH) organic polymer dielectrics |
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