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钇对掺饵多孔硅体系1.54μm发光的增强作用
引用本文:张晓霞,谢国伟,石建新,罗莉,黄伟国,龚孟濂.钇对掺饵多孔硅体系1.54μm发光的增强作用[J].化学学报,2003,61(9).
作者姓名:张晓霞  谢国伟  石建新  罗莉  黄伟国  龚孟濂
作者单位:中山大学化学与化学工程学院;香港浸会大学物理系;香港浸会大学化学系
摘    要:首次报道了用恒电位电解法将饵、钇共掺入多孔硅(porous silicons, PS) 中,经高温退火处理后,观察到了在近红外区(1.54 μm)室温下较强的光致发光 (photoluminescence, PL),并与掺饵多孔硅(erbium-doped porous silicon, PS:Er)做了比较,发现钇的共掺入对掺饵多孔硅体系1.54 μm发射起了增强作用 。研究了饵、钇共掺杂多孔硅(erbium and yttrium co-doped porous silicon, PS:Er, Y)光致发光强度随温度的变化,发现PS:Er与Si:Er材料相似,有较强的 温度猝灭效应,而PS:Er,Y体系的PL强度随温度升高趋于平稳,且有增强的趋势, 受温度影响不明显,并初步探讨了其发光机制。

关 键 词:      掺杂  光致发光  电解  荧光猝灭剂
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