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| 一种光电阴极导电基底 | |
| 作者姓名： | 牛憨笨 王云程 杨勤劳 张济康 |
| 作者单位： | 中国科学院西安光学精密机械研究所(牛憨笨，王云程，杨勤劳)，中国科学院西安光学精密机械研究所(张济康) |
| 摘 要： | 超快速变象管是诊断各种超快速发光过程的变象管相机的核心部件,而其光电阴极又是该器件的心脏.为了使超快速变象管光电阴极在强的光脉冲作用下能提供大的瞬态电流密度,又能获得高的动态空间分辨率,则要求光电阴极必须具有足够小的横向面电阻率.但是,常用的s型半导体光电阴极其横向面电阻率一般均大于10~6Ω/□。为了解决这一问题,超快速变象管的光电阴极通常制作在透明的导电基底上. 超快速变象管光电阴极所用的导电基底应满足如下要求:(1)和光电阴极相容,即它的存在不影响光电阴极的制作及其灵敏度的提高,在光电阴极制作之后其面电阻率不… |
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