| ICP-AES 法测定硅铁中痕量元素 |
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| 引用本文： | 艾军. ICP-AES 法测定硅铁中痕量元素[J]. 分析试验室, 2001, 20(5): 51-53 |
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| 作者姓名： | 艾军 |
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| 作者单位： | 武汉化工学院分析测试中心 |
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| 摘 要： | 采用电感耦合等离子原子发射光谱法测定硅铁中的痕量元素,研究了 Fe 基体对被测元素的影响,并选择了最佳工作条件.被测元素的检测限为 0 .60～76.2 ng/mL,样品加标回收率为 92%～108%,RSD(n=8)<3%.
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| 关 键 词： | 电感耦合等离子原子发射光谱 硅铁 痕量元素 |
| 文章编号： | 1000-0720(2001)05-0051-03 |
Determination of trace elements in ferrosilicon by inductively coupled p lasma atomic emission spectrometry |
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| AI Jun. Determination of trace elements in ferrosilicon by inductively coupled p lasma atomic emission spectrometry[J]. Chinese Journal of Analysis Laboratory, 2001, 20(5): 51-53 |
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| Authors: | AI Jun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Inductively coupled plasma atomic emission spectrometry Ferrosilicon Trace elements |
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