| 平面型Gunn器件低温SiO2和PSG的淀积 |
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| 引用本文： | 徐建成,刘澎,陈定钦.平面型Gunn器件低温SiO2和PSG的淀积[J].分析测试技术与仪器,1996,2(1):57-60. |
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| 作者姓名： | 徐建成 刘澎 陈定钦 |
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| 作者单位： | 首都师范大学物理系，中央人民广播电台，中国科学院半导体研究所 |
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| 摘 要： | 采用“夹层结构”的方法制作平面型Ｇｕｎｎ畴雪崩器件的ｎ型ＧａＡｓ外延材料，以及低温（４２０℃～４５０℃）淀积ＳｉＯ２的原理，工艺条件和可控硅电路。
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| 关 键 词： | 低温淀积 畴雪崩器件 二氧化硅 PSG淀积 |
| 收稿时间： | 3/1/1995 12:00:00 AM |
| 修稿时间： | 1995/11/4 0:00:00 |
Deposition of Silicon Dioxide at Low Temperature in Plane Type Gunn Domain Avalanche Device |
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| Xu Jiancheng,Liu Peng and Chen Dingqin.Deposition of Silicon Dioxide at Low Temperature in Plane Type Gunn Domain Avalanche Device[J].Analysis and Testing Technology and Instruments,1996,2(1):57-60. |
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| Authors: | Xu Jiancheng Liu Peng and Chen Dingqin |
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| Institution: | Capital Normal University, Beijing 100037;The Chinese People Broadcasting Station, Beijing 100866;Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Deposit at low temperature SiO_2 Domain avalanche device Sandwich structure |
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