| HL-1M装置真空室硅化的研究 |
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| 引用本文： | 严东海,王恩耀,崔成和,梁雁,许正华,张炜,刘建宏,黄永康.HL-1M装置真空室硅化的研究[J].核聚变与等离子体物理,2001,21(4):245-252. |
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| 作者姓名： | 严东海 王恩耀 崔成和 梁雁 许正华 张炜 刘建宏 黄永康 |
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| 作者单位： | 核工业西南物理研究院, |
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| 摘 要： | GDC（He SiH4）是为HL－1M装置研制的一种常规壁处理技术。在He辉光等离子体条件下，通过气相中的电子碰撞离解、电离、离子－分子反应和在壁面上的He^ 诱导脱H2过程，在清洁的真空壁表面沉积一层无定形、半透明、致密的氢化硅（α－Si:H）薄膜。氢化硅具有良好的H（D）捕获、H2（D2）释放，能显著地降低再循环系数，有效地控制杂质水平，大大拓宽了HL－1M装置的运行范围，为HL－1M装置的LHCD、ICRH、ECRH、NBI、PI和MBI实验提供了良好的真空壁条件。
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| 关 键 词： | 硅化 再循环 真空壁条件 HL－1M装置 电子碰撞离解 真空室 |
| 文章编号： | 0254-6086(2001)04-0245-08 |
| 修稿时间： | 2000年12月27 |
STUDY OF VACUUM WALL SILICONIZATION IN THE HL-1M TOKAMAK |
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| YAN Dong-hai,WANG En-yao,CUI Cheng-he,LIANG Yan,XU Zheng-hua,ZHANG Wei,LIU Jian-hong,HUANG Yong-kang.STUDY OF VACUUM WALL SILICONIZATION IN THE HL-1M TOKAMAK[J].Nuclear Fusion and Plasma Physics,2001,21(4):245-252. |
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| Authors: | YAN Dong-hai WANG En-yao CUI Cheng-he LIANG Yan XU Zheng-hua ZHANG Wei LIU Jian-hong HUANG Yong-kang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Siliconization Recycle Vacuum wall conditions |
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