| 4H-SiC探测器的γ辐照影响研究 |
| |
| 引用本文： | 李正, 吴健, 白忠雄, 等. 4H-SiC探测器的γ辐照影响研究[J]. 强激光与粒子束, 2019, 31: 086002. doi: 10.11884/HPLPB201931.180345 |
| |
| 作者姓名： | 李正 吴健 白忠雄 吴锟霖 范义奎 蒋勇 尹延朋 谢奇林 雷家荣 |
| |
| 作者单位： | 1.中国工程物理研究院 核物理与化学研究所, 四川 绵阳 621900;;2.中国工程物理研究院 中子物理重点实验室, 四川 绵阳 621900 |
| |
| 基金项目： | 中国工程物理研究院科学技术发展基金项目2015B0103009国家自然科学基金项目11605174国家自然科学基金项目11775917国家自然科学基金项目11775198 |
| |
| 摘 要： | 
为研究4H-SiC探测器的抗γ辐照性能,使用40万Ci级的60Co源对4H-SiC探测器进行了数次辐照,累积辐照剂量最大为1 MGy(Si),并在辐照后对4H-SiC的性能进行了测试。随着累积辐照剂量增加,4H-SiC探测器的正向电流增大,而反向电流恰好相反;根据4H-SiC探测器的正向I-V曲线可提取理想因子和肖特基势垒,理想因子从1.87增加到2.18,肖特基势垒从1.93 V减小至1.69 V;4H-SiC探测器对241Am源产生的α粒子进行探测时,探测器的电荷收集率从95.65%退化到93.55%,测得能谱的能量分辨率由1.81%退化到2.32%。
4H-SiC探测器在受到1 MGy(Si)的γ辐照后,与未受到辐照时相比,在探测能量为5.486 MeV的α粒子时能量分辨率和电荷收集率仅退化了28.18%和2.2%,仍具备优良的探测性能。
|
| 关 键 词： | 4H-SiC探测器 γ辐照 I-V特性 α探测器 |
| 收稿时间： | 2018-11-30 |
| 修稿时间： | 2019-04-28 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《强激光与粒子束》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《强激光与粒子束》下载免费的PDF全文 |
|
