| CaS∶Eu,Sm光存储材料的光谱特性 |
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| 作者姓名： | 姜薇薇 徐征 张希艳 |
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| 作者单位： | 1. 北京交通大学光电子技术研究所，发光与光信息技术教育部重点实验室，北京 100044
2. 长春理工大学材料与化工学院，吉林 长春 130022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | CaS∶Eu, Sm是一种典型的电子俘获型光存储材料，文章采用湿法在还原气氛中制备了CaS∶Eu, Sm粉末样品。测量了这种光存储材料的XRD、激发光谱、发射光谱、光激励发光光谱、热释光谱以及光激励发光衰减曲线。XRD结果表明样品在1 050 ℃晶格已经形成。光谱测试结果说明紫外光可激发该材料，作为信息写入光源。样品被紫外光源饱和激发后，用980 nm红外激光激励，发射出峰值位于635 nm的红光。光激励发光起初衰减较快，随后有一个较长的平缓期。且样品具有合适深度的陷阱能级，能够稳定存储信息。对CaS∶Eu, Sm的光存储机理进行了探讨。
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| 关 键 词： | CaS∶Eu Sm 光存储 光谱 |
| 文章编号： | 1000-0593（2007）12-2389-04 |
| 收稿时间： | 2006-06-16 |
| 修稿时间： | 2006-09-18 |
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