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| GaN基大功率白光LED的高温老化特性 | |
| 作者姓名： | 周舟 冯士维 张光沉 郭春生 李静婉 |
| 作者单位： | 1.北京工业大学 电子信息与控制工程学院 北京,100124 |
| 基金项目： | 北京市自然科学基金(4092005);国家“863”计划(2009AA032704);教育部博士点基金(20091103110006)资助项目 |
| 摘 要： | 对大功率GaN基白光LED在85℃下进行了高温加速老化实验。经6500h的老化,样品光通量退化幅度为28%~33%。样品的I-V特性变化表明其串联电阻和反向漏电流不断增大,原因可归结为芯片欧姆接触的退化及芯片材料中缺陷密度的提高。样品的热特性变化显示出各结构层热阻均明显增大,这是由散热通道上各层材料的老化及焊料层出现大面积空洞引起的。分析表明,高温老化过程中芯片和封装材料的退化共同导致了LED的缓变失效。 |
| 关 键 词： | 大功率白光LED 老化 热阻 失效分析 |
| 收稿时间： | 2011-06-24 |
| 修稿时间： | 2011-07-20 |
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