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金属/有机半导体界面偶极层的研究
作者姓名:潘艳芝  李宏建  周伟昌  戴小玉
作者单位:1. 湖南大学应用物理系,长沙,410082
2. 湖南大学应用物理系,长沙,410082;中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083
基金项目:湖南省杰出青年科学基金(03JJY1008),中国博士后科学基金(2004035083)
摘    要:利用金属/无机半导体界面模型对金属/有机半导体界面偶极层进行了数值研究.讨论了界面处金属/有机半导体原子间距与化学键密度对界面偶极能的影响;分析了界面层电场强度随化学键密度变化的原因;对界面偶极能与金属功函数之间的关系给出了合理的解释.

关 键 词:金属/有机半导体界面  偶极能  功函数
文章编号:1000-0364(2006)06-1061-04
收稿时间:2005-08-26
修稿时间:2005-08-26
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