|
|||||
|
|
| α和β-Si3N4的电子、光学及热力学性质的第一性原理计算 | |
| 作者姓名： | 蒋文龙 戴涛 张帆 张雨林 刘正堂 杜艺华 刘其军 |
| 作者单位： | 1. 西南交通大学键带工程组;2. 西北工业大学凝固技术国家重点实验室 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(12147208);;2021年国家级大学生创新创业训练计划项目(202110613086); |
| 摘 要： | 基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了α-Si3N4和β-Si3N4的晶体结构、电子结构、光学性质和声子谱,并对结果进行了理论分析.计算结果表明两种相都含有较强的共价键,均为绝缘体,且α-Si3N4的禁带宽度略大于β-Si3N4.计算获得的光学吸收系数表明α-Si3N4和β-Si3N4主要吸收紫外光,并二者的能量损失峰在24.4 eV附近.α-Si3N4和β-Si3N4的声子谱中均无虚频,表明二者的结构是稳定的.在0～1000 K范围内,α-Si3N4的热容约为β-Si3N4的两倍.本文的计算结果可以为Si3N4 |
| 关 键 词： | 氮化硅 电子结构 光学性质 声子谱 |
| 收稿时间： | 2022-03-16 |
| 修稿时间： | 2022-04-01 |
| 点击此处可从《原子与分子物理学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《原子与分子物理学报》下载免费的PDF全文 | |