| α和β-Si3N4的电子、光学及热力学性质的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 蒋文龙,戴涛,张帆,张雨林,刘正堂,杜艺华,刘其军.α和β-Si3N4的电子、光学及热力学性质的第一性原理计算[J].原子与分子物理学报,2023,40(2):026008-186. |
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| 作者姓名： | 蒋文龙 戴涛 张帆 张雨林 刘正堂 杜艺华 刘其军 |
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| 作者单位： | 1. 西南交通大学键带工程组;2. 西北工业大学凝固技术国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(12147208)；;2021年国家级大学生创新创业训练计划项目(202110613086)； |
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| 摘 要： | 基于密度泛函理论的第一性原理方法，计算了α-Si3N4和β-Si3N4的晶体结构、电子结构、光学性质和声子谱，并对结果进行了理论分析.计算结果表明两种相都含有较强的共价键，均为绝缘体，且α-Si3N4的禁带宽度略大于β-Si3N4.计算获得的光学吸收系数表明α-Si3N4和β-Si3N4主要吸收紫外光，并二者的能量损失峰在24.4 eV附近.α-Si3N4和β-Si3N4的声子谱中均无虚频，表明二者的结构是稳定的.在0～1000 K范围内，α-Si3N4的热容约为β-Si3N4的两倍.本文的计算结果可以为Si3N4
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| 关 键 词： | 氮化硅 电子结构 光学性质 声子谱 |
| 收稿时间： | 2022/3/16 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2022/4/1 0:00:00 |
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