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| 过渡金属(Ni)掺杂ZnV2O4的第一性原理计算 | |
| 作者姓名： | 刘兴旺 罗姣莲 |
| 作者单位： | 1. 贵州大学大数据与信息工程学院;2. 贵州省绿色节能材料特色重点实验室;3. 贵州民族大学材料科学与工程学院 |
| 基金项目： | 贵州省普通高等学校绿色节能材料特色重点实验室建设项目、贵州省科技厅项目、贵州民族大学校引才科研项目 |
| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论下的MS软件模拟了过渡金属Ni掺杂ZnV2O4前后的能带结构、态密度以及光学性质.结果表明：ZnV2O4具有间接的光学跃迁且能带间隙为0.355 eV,Ni掺杂后能带间隙增加为0.785 eV,且带隙类型不变,引入的Ni-3d轨道电子对ZnV2O4的价带和导带组成提供了较大贡献.光学性质结果表明ZnV2O4为一种低介电材料,在可见光区的吸收系数和折射率较低,主要表现为紫外吸收.掺杂Ni后,在可见光区的吸收特性和光电导率均增大,有效改善了ZnV2O4在可见光区的光电性能. |
| 关 键 词： | ZnV2O4 掺杂 第一性原理 过渡金属 电子结构 光学性质 |
| 收稿时间： | 2021-10-01 |
| 修稿时间： | 2021-10-22 |
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