| 超薄膜外延生长的Monte Carlo模拟 |
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| 引用本文： | 叶健松,胡晓君.超薄膜外延生长的Monte Carlo模拟[J].物理学报,2002,51(5):1108-1112. |
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| 作者姓名： | 叶健松 胡晓君 |
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| 作者单位： | (1)上海交通大学材料科学与工程学院,上海200030; (2)上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,上海200030 |
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| 摘 要： | 用MonteCarlo(MC)方法对超薄膜外延生长过程进行了计算机模拟.模型中引入Morse势描述粒子间的相互作用,考虑粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发三个过程.研究了粒子间相互作用范围α和允许粒子行走的最大步数对薄膜生长形貌的影响.结果表明:在不同的α值下,随粒子行走步数的增加,薄膜的生长经历了从分散、分形、混合到团聚的过程;其中α=6时,基本观察不到粒子的分散生长过程;α值越小且粒子行走步数越小的情况下,薄膜越易趋向于分散生长
关键词：
超薄膜
MonteCarlo方法
外延生长
Morse势
分形
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| 关 键 词： | 超薄膜 MonteCarlo方法 外延生长 Morse势 分形 |
| 收稿时间： | 2001-05-18 |
| 修稿时间： | 2001年5月18日 |
Monte Carlo simulation of epitaxial growth in ultra-thin films |
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| Ye Jian-Song and Hu Xiao-Jun.Monte Carlo simulation of epitaxial growth in ultra-thin films[J].Acta Physica Sinica,2002,51(5):1108-1112. |
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| Authors: | Ye Jian-Song and Hu Xiao-Jun |
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| Abstract: |
Keywords： |
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| Keywords: | ultra-thin films Monte-Carlo method expitaxy growth Morse potential fractal |
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