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多芯Bi2223/Ag带材30K温区的临界电流密度和交流损耗
引用本文:王银顺,胡倾宇.多芯Bi2223/Ag带材30K温区的临界电流密度和交流损耗[J].低温物理学报,1998,20(3):203-208.
作者姓名:王银顺  胡倾宇
作者单位:中国科学院电工研究所,澳大利亚新南威尔士洲伍伦贡大学
摘    要:本文研究了30K温区和工频下81芯Bi2223/Ag带材的临界电流特性和没背场下的交流损耗,临界电流是用SQUID磁化法和标准四引法测量;交流损耗理在样品通以正弦电流情况下采用电测法进行测量,结果发现交流损耗随背场的增加而增大,同时与频率的关系是非线性的,并且偏离基于Bean模型所预言的结果;表明30K温区多芯带材Ag基中的涡流损耗的芯间的耦合损耗不可忽略。

关 键 词:高Tc  交流损耗  Bi2223/Ag带材  临界电流密度
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