GaAs半导体激光器线宽展宽因子的理论计算 |
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作者姓名: | 张帆 李林 王勇 邹永刚 李占国 马晓辉 隋庆学 刘国军 |
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作者单位: | 1.(1 长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室, ),长春,130022;2.(2 总装备部装甲兵驻长春地区军事代表室, ),长春,130103 |
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基金项目: | 国家自然科学基金,高功率半导体激光国家重点实验室基金 |
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摘 要: | 本文利用简单模型综合考虑了带间跃迁、自由载流子吸收和带隙收缩对半导体激光器线宽展宽因子的影响,给出了半导体激光器线宽展宽因子的一种较为简便的计算方法.首先从理论上推导出线宽展宽因子的计算公式,分析并计算了GaAs半导体激光器的增益特性,并使用MATLAB软件中的Mupad工具包求解费米积分的数值解.然后根据得到的增益拟合曲线峰值的变化计算了带间跃迁对线宽展宽因子的影响.最后,分别讨论和计算了自由载流子吸收和带隙收缩对线宽展宽因子的影响.结果表明,带间跃迁和带隙收缩对线宽展宽因子的影响较大(α因子值分别为22.562,-6.853),而自由载流子吸收对线宽展宽因子的影响较小(只有-0.605).
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关 键 词: | 半导体激光器 线宽展宽因子 增益 自由载流子吸收 带隙收缩 |
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