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High performance 1689-nm quantum well diode lasers
Authors:
Yupeng Duan
Tao Lin
Cuiluan Wang
Feng Chong
Xiaoyu Ma
Abstract:
1689-nm diode lasers used in medical apparatus have been fabricated and characterized. The lasers had pnpn InP current confinement structure, and the active region consisted of 5 pairs of InGaAs quantum wells and InGaAsP barriers.
Keywords:
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