| 1 500 eV入射下氦原子的电子碰撞双重微分散射截面测量 |
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| 引用本文： | 范岚岚,朱林繁,钟志萍,刘小井,苑震生,徐克尊.1 500 eV入射下氦原子的电子碰撞双重微分散射截面测量[J].原子与分子物理学报,2004,21(Z1):111-112. |
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| 作者姓名： | 范岚岚 朱林繁 钟志萍 刘小井 苑震生 徐克尊 |
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| 作者单位： | 1. 合肥微尺度国家实验室(筹),中国科学技术大学近代物理系,合肥,230026
2. 中国科学院研究生院物理部,北京,100039 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(10134010,10004010)和中国科学技术大学青年基金资助项目. |
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| 摘 要： | 本工作使用高分辨快电子能量损失谱仪,在入射电子能量1 500 eV、能量分辨200 meV和散射角度0.5°～ 4.0°的实验条件下,测量了氦原子在电离连续区24.5～28.5 eV的双重微分散射截面.通过与理论及其它入射能量实验结果的比较,认为在入射电子能量为1 500 eV 时一阶Born近似成立.
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| 关 键 词： | 双重微分散射截面 广义振子强度密度 一阶Born 近似 |
| 文章编号： | 1000-0364(2004)增刊-0111-02 |
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