| ZnO纳米棒在Si衬底上外延生长研究 |
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| 引用本文： | 唐斌,邓宏,张强,税正伟,陈建勇,赵春兰.ZnO纳米棒在Si衬底上外延生长研究[J].人工晶体学报,2007,36(3):540-544. |
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| 作者姓名： | 唐斌 邓宏 张强 税正伟 陈建勇 赵春兰 |
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| 作者单位： | 西南石油大学理学院,成都,610500;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;西南石油大学理学院,成都,610500 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;四川省应用基础研究计划;国家预研基金 |
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| 摘 要： | 运用热蒸发ZnO粉末法,以金做催化剂,分别在Si(100)和Si(111)两种基片上外延生长了ZnO纳米棒(样品分别标为1#和2#).通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析,结合ZnO与Si的晶格结构特征,从理论上得出了两个样品的晶格匹配关系.1#样品:0001]ZnO∥114]Si,0001]ZnO∥1-1-4]Si,0001]ZnO∥11-4]Si,0001]ZnO∥1-14]Si,失配度为1.54;;2#样品:0001]ZnO∥111]Si,21-1-0]ZnO∥11-0]Si,1-21-0]ZnO∥1-01]Si ,1-1-20]ZnO∥011-]Si,失配度为18.12;.研究表明Si衬底对ZnO纳米棒生长方向具有调控作用.
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| 关 键 词： | ZnO纳米棒 外延生长 晶格常数 失配度 |
| 文章编号： | 1000-985X（2007）03-0540-05 |
| 修稿时间： | 2006-11-30 |
Epitaxial Growth of ZnO Nanorods on Si Substrate |
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| TANG Bin,DENG Hong,ZHANG Qiang,SHUI Zheng-wei,CHENG Jian-yong,ZHAO Chun-lan.Epitaxial Growth of ZnO Nanorods on Si Substrate[J].Journal of Synthetic Crystals,2007,36(3):540-544. |
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| Authors: | TANG Bin DENG Hong ZHANG Qiang SHUI Zheng-wei CHENG Jian-yong ZHAO Chun-lan |
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| Institution: | 1. School of Science, Southwest Petroleum University, Chengdu 610500, China; 2. National Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrate Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO nanorods epitaxial growth crystal lattice constant mismatch |
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