| Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 |
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| 作者姓名： | 赵晓薇 范希武 张吉英 单崇新 张振中 羊亿 吕有明 刘益春 申德振 |
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| 作者单位： | 中国科学院激发态物理重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学重大基金（69896260）,国家“九五”攀登计划项目,国家自然科学基金,中科院知识创新工程项目,中科院百人计划,中国科学院激发态物理重点实验室基金资助项目 |
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| 摘 要： | 以硒化氢(H2Se)和二甲基锌为源材料,生长温度是300℃时,用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜的能量色散(EDS)以及光致发光(PL)实验验证ZnSe外延膜的质量.在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰,这说明外延膜是(111)取向的单晶薄膜.在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外,没有观测到其他原子,说明ZnSe外延膜中杂质含量较少.ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1,有较好的化学配比.在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰,表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小.77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近.
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| 关 键 词： | ZnSe外延膜 Si衬底 低压MOCVD |
| 文章编号： | 1000-7032(2002)04-0330-05 |
| 收稿时间： | 2001-06-13 |
| 修稿时间： | 2001-06-13 |
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