| In掺杂对水热法合成ZnO晶体形貌的影响 |
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| 引用本文： | 韦志仁,李哲,胡志鹏,罗小平,高平,王伟伟,董国义. In掺杂对水热法合成ZnO晶体形貌的影响[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(4): 755-758 |
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| 作者姓名： | 韦志仁 李哲 胡志鹏 罗小平 高平 王伟伟 董国义 |
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| 作者单位： | 河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北大学物理科学与技术学院,保定,071002 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;河北省自然科学基金;河北省科技攻关及河北省教育厅资助项目 |
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| 摘 要： | ![]()
本文采用水热法,在ZnO中添加In2O3为前驱物,3mol/L KOH作矿化剂,温度430℃,填充度35;,反应24h,制备了掺In的ZnO晶体.未掺杂In2O3合成的纯ZnO晶体呈六棱锥状,显露负极面-c{0001}、六棱锥面+p{1011}和-p{1011},一般不显露{0001}面.前驱物中掺杂In2O3所合成的ZnO晶体呈六角片状,直径约为5～20 μm,大面积显露{0001}面,另外还显露正锥面+p{1011}、负锥面-p{1011}和负极面-c{0001}.由此可见In掺杂可以明显的改变晶体的形态,使c轴极性快速生长趋向得到明显改善,有利于降低晶体生长缺陷.当采用ZnO晶片为籽晶时,通过水热反应在晶片上生长了一层掺In的ZnO薄膜,通过Hall参数测量得到晶体膜层的电子迁移率约为22cm2/(V·s),载流子浓度约为2×1020 cm-3,具有良好的导电性,同时也说明In可以微量掺入氧化锌晶体.
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| 关 键 词： | 氧化锌 水热法 晶体 三氧化二铟 |
| 文章编号： | 1000-985X（2007）04-0755-04 |
| 修稿时间： | 2007-01-29 |
Effect of In-doped on Morphology of the ZnO Crystal Synthesized by Hydrothermal Method |
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| WEI Zhi-ren,LI Zhe,HU Zhi-peng,LUO Xiao-ping,GAO Ping,WANG Wei-wei,DONG Guo-yi. Effect of In-doped on Morphology of the ZnO Crystal Synthesized by Hydrothermal Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2007, 36(4): 755-758 |
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| Authors: | WEI Zhi-ren LI Zhe HU Zhi-peng LUO Xiao-ping GAO Ping WANG Wei-wei DONG Guo-yi |
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| Affiliation: | Physics Science and Technology College,Hebei University,Baoding 071002,China |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | ZnO hydrothermal method crystals In2O3 |
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