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垂直布里奇曼法生长铜单晶体的研究
引用本文:王立苗,赵北君,朱世富,唐世红,何知宇,肖怀安. 垂直布里奇曼法生长铜单晶体的研究[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(1): 44-47
作者姓名:王立苗  赵北君  朱世富  唐世红  何知宇  肖怀安
作者单位:四川大学材料科学系,成都,610064;四川大学材料科学系,成都,610064;四川大学材料科学系,成都,610064;四川大学材料科学系,成都,610064;四川大学材料科学系,成都,610064;四川大学材料科学系,成都,610064
摘    要:Cu单晶在中子和X射线单色器及激光核聚变靶材等领域有重要应用前景.本文采用自制的硅钼棒单晶生长炉和特制的镀碳石英生长坩埚,采用垂直布里奇曼法在30 ℃/cm的温度梯度下,以10 mm/d的下降速度生长出较高质量的铜单晶体.生长的晶体经多次研磨抛光腐蚀处理后进行X射线衍射分析和金相分析,显示出(200)晶面尖锐的X射线衍射峰和规则的方形蚀坑,表明生长的晶体结构完整.

关 键 词:  单晶生长  垂直布里奇曼法  蚀坑观察

Study on Copper Single Crystal Grown by Vertical Bridgman Method
WANG Li-miao,ZHAO Bei-jun,ZHU Shi-fu,TANG Shi-hong,HE Zhi-yu,XIAO Huai-an. Study on Copper Single Crystal Grown by Vertical Bridgman Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2009, 38(1): 44-47
Authors:WANG Li-miao  ZHAO Bei-jun  ZHU Shi-fu  TANG Shi-hong  HE Zhi-yu  XIAO Huai-an
Affiliation:Department of Materials Science;Sichuan University;Chengdu 610064;China
Abstract:
Keywords:copper  single crystal growth  vertical Bridgman method  etch pits observation  
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