| 垂直布里奇曼法生长铜单晶体的研究 |
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| 引用本文： | 王立苗,赵北君,朱世富,唐世红,何知宇,肖怀安.垂直布里奇曼法生长铜单晶体的研究[J].人工晶体学报,2009,38(1):44-47. |
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| 作者姓名： | 王立苗 赵北君 朱世富 唐世红 何知宇 肖怀安 |
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| 作者单位： | 四川大学材料科学系,成都,610064 |
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| 摘 要： | Cu单晶在中子和X射线单色器及激光核聚变靶材等领域有重要应用前景.本文采用自制的硅钼棒单晶生长炉和特制的镀碳石英生长坩埚,采用垂直布里奇曼法在30 ℃/cm的温度梯度下,以10 mm/d的下降速度生长出较高质量的铜单晶体.生长的晶体经多次研磨抛光腐蚀处理后进行X射线衍射分析和金相分析,显示出(200)晶面尖锐的X射线衍射峰和规则的方形蚀坑,表明生长的晶体结构完整.
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| 关 键 词： | 铜 单晶生长 垂直布里奇曼法 蚀坑观察 |
Study on Copper Single Crystal Grown by Vertical Bridgman Method |
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| WANG Li-miao,ZHAO Bei-jun,ZHU Shi-fu,TANG Shi-hong,HE Zhi-yu,XIAO Huai-an.Study on Copper Single Crystal Grown by Vertical Bridgman Method[J].Journal of Synthetic Crystals,2009,38(1):44-47. |
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| Authors: | WANG Li-miao ZHAO Bei-jun ZHU Shi-fu TANG Shi-hong HE Zhi-yu XIAO Huai-an |
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| Institution: | Department of Materials Science;Sichuan University;Chengdu 610064;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | copper single crystal growth vertical Bridgman method etch pits observation |
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