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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
有机半导体非平衡态HOMO和LUMO能量位移规律与OLED中“热激子”形成的唯象理解
作者姓名:
王剑桥
马於光
作者单位:
华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室, 广州 510640
摘 要:
以能斯特方程为基础, 通过分析电流密度与氧化还原物种活度变化, 即载流子浓度变化的关系, 计算出有机半导体材料电极电势的变化, 从而建立起有机半导体前线轨道, 即最高占据分子轨道(HOMO)能级和最低未被占据分子轨道(LUMO)能级相对于热力学平衡态的能量位移随电流密度变化的数学关系. 进而依据能级能量位移引起的能隙变化, 提出了有机电致发光显示器(OLED)中“热激子”的产生机制.
关 键 词:
有机半导体
能级
非平衡态
能斯特方程
热激子
收稿时间:
2021-12-23
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