| [N2]*2-N2分子二聚物的发射谱和受激辐射特性 |
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| 引用本文： | 申作春,鲁建业,高惠德,马祖光,A.H.Hamdani.[N2]*2-N2分子二聚物的发射谱和受激辐射特性[J].中国科学A辑,2002,32(4):330-336. |
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| 作者姓名： | 申作春 鲁建业 高惠德 马祖光 A.H.Hamdani |
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| 作者单位： | (1)哈尔滨工业大学光电子技术研究所 ,哈尔滨 150001 ,中国;(2)H. No 1447, Street No 41Sector I-10/2, Islamabad Pakistan |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(批准号: 69678006) |
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| 摘 要： | 理论上通过从头算法计算与理论分析证明存在D2h群对称性的N2]2即N2分子二聚物，且存在电偶极允许的类准分子跃迁a1B2g→a1B3u. 理论计算获得的a1B2g→a1B3u跃迁的发射谱与实验观测到的结果很好地吻合. 利用微波激励高纯氮和放大自发辐射法研究了N2分子二聚物的受激辐射特性，实验研究结果表明，当微波功率大于100 W，充入N2气压在260~2200 Pa范围内N2分子二聚物在336.21 nm处存在受激辐射特性.
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| 关 键 词： | 势能曲线 类准分子 振子强度 增益 从头算 |
| 收稿时间： | 2001-06-11 |
| 修稿时间： | 2001年6月11日 |
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