| 用Zn/F离子先后注入和热退火法实现ZnO量子点的可控生长 |
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| 引用本文： | 张兰月,任峰,肖湘衡,蔡光旭,李芳,蒋昌忠.用Zn/F离子先后注入和热退火法实现ZnO量子点的可控生长[J].武汉大学学报(理学版),2008,54(3):317-320. |
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| 作者姓名： | 张兰月 任峰 肖湘衡 蔡光旭 李芳 蒋昌忠 |
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| 作者单位： | 1. 武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072
2. 武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072;武汉大学,声光材料与器件教育部重点实验室,湖北,武汉,430072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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高等学校博士学科点专项科研项目
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湖北省武汉市科技攻关项目
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湖北省武汉市青年科技晨光计划 |
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| 摘 要： | 将Zn/F离子先后注入到非晶二氧化硅中并分别在400,600,700 ℃下进行了退火.用光学吸收谱、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对退火的样品进行分析,发现在600 ℃退火后ZnO量子点已经形成.二次离子质谱仪(SIMS)测试发现在溅射时间为2 s时Si,Zn元素同时出现,说明没有在衬底的表面形成ZnO薄膜.从原子力显微镜(AFM)图像看到有少量的颗粒被蒸发到衬底的表面,说明在衬底的内部形成了ZnO量子点.F离子注入的作用为在衬底的内部形成ZnO量子点提供了O2分子.
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| 关 键 词： | 离子注入 量子点 热退火 离子注入 退火法 量子点 可控生长 Quantum Dots the Growth Controlling Annealing Ion Implantation 分子 作用 表面 蒸发 颗粒 图像 高分辨透射电子显微镜 原子力 薄膜 面形 元素 |
| 文章编号： | 1671-8836(2008)03-0317-04 |
| 修稿时间： | 2007年12月16 |
Controlling the Growth of ZnO Quantum Dots by Zn/F Sequential Ion Implantation and Subsequent Annealing |
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| ZHANG Lanyue,REN Feng,XIANG Xiangheng,CAI Guangxu,LI Fang,JIANG Changzhong.Controlling the Growth of ZnO Quantum Dots by Zn/F Sequential Ion Implantation and Subsequent Annealing[J].JOurnal of Wuhan University:Natural Science Edition,2008,54(3):317-320. |
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| Authors: | ZHANG Lanyue REN Feng XIANG Xiangheng CAI Guangxu LI Fang JIANG Changzhong |
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