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CoSb3纳米薄膜的制备与热电性能
引用本文:李磊,刘宪云,钱忠建,江兴方.CoSb3纳米薄膜的制备与热电性能[J].光子学报,2016(2):164-168.
作者姓名:李磊  刘宪云  钱忠建  江兴方
作者单位:常州大学数理学院,江苏常州,213164
摘    要:通过对低压化学气相沉积制得的CoSb3纳米薄膜在300~800K温度范围内的热电性能测试,发现其电阻率较其他单晶CoSb3块状样品低一个量级,热导率值在1.08~4.05 Wm-1K-1之间,比单晶CoSb3低得多.这表明纳米结构导致热导率显著降低,最高热电优值在773K出现且为0.114.这种纳米薄膜材料在研制新型高效热电半导体方面板具应用前景.

关 键 词:纳米材料  CoSb3  低压化学气相沉积  热电性  半导体

Fabrication and Thermoelectric Performance of CoSb3 Nanoparticle Films
Abstract:
Keywords:Nanomaterials  CoSb3  Low pressure chemical vapor deposition  Thermoelectric properties  Semiconductors
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