| HPVB法生长的CdSe单晶性能研究 |
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| 引用本文： | 高彦昭,杨瑞霞,张颖武,王健. HPVB法生长的CdSe单晶性能研究[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(4): 669-673 |
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| 作者姓名： | 高彦昭 杨瑞霞 张颖武 王健 |
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| 作者单位： | 河北工业大学电子信息工程学院,天津300401;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220;河北工业大学电子信息工程学院,天津,300401;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220 |
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| 基金项目： | 天津市自然科学基金重点项目(15JCZDJC37800);国家自然科学基金(61774054) |
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| 摘 要： | 采用有籽晶的高压垂直布里奇曼法(HPVB)生长了直径35 mm的大尺寸CdSe单晶.使用X射线衍射仪测试了晶体的结晶质量,结果表明生长的晶体为纯六方相CdSe单晶,(002)晶面的摇摆曲线峰型尖锐且对称性好,峰值半高宽(FWHM)可达0.082°.使用辉光放电质谱法(GDMS)、霍尔效应测试、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)对晶体生长轴向的微量杂质含量及分布、电学性能和光学性能进行测试和分析,结果表明微量杂质在晶体轴向方向呈现出不同的分凝特性,杂质的不均匀分布影响晶体的电学性能和光学性能.晶体呈现出较高的电阻率(108Ω· cm)和优良的红外透过性能,在8~12 μm范围内平均透过率约为70;,吸收系数小于0.058 cm-1.
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| 关 键 词： | CdSe单晶 籽晶 HPVB法 红外透过率 非线性光学晶体, |
Research of the Properties of CdSe Single Crystal Growth by HPVB Method |
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| GAO Yan-zhao,YANG Rui-xia,ZHANG Ying-wu,WANG Jian. Research of the Properties of CdSe Single Crystal Growth by HPVB Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2018, 47(4): 669-673 |
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| Authors: | GAO Yan-zhao YANG Rui-xia ZHANG Ying-wu WANG Jian |
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| Keywords: | |
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