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| 低磁控溅射率MCP防离子反馈膜工艺研究 | |
| 作者姓名： | 朱宇峰 张太民 聂晶 师宏立 |
| 作者单位： | 西安应用光学研究所,第二研究室,微光夜视技术国防科技重点实验室,陕西,西安,710065 |
| 摘 要： | 为消除反馈正离子对三代微光夜视器件光阴极的有害轰击,提高微光像增强器的工作寿命,开展了低磁控溅射率法沉积微通道板（MCP）Al2O3防离子反馈膜的工艺研究。通过优化制备工艺,获得了制备MCP防离子反馈膜的最佳沉积条件：溅射电压1000V,溅射气压(4～5)×10-2 Pa,沉积速率0.5nm/min等。研究结果表明：在此工艺条件下,能够制备出均匀、致密且通孔满足质量要求的MCP防离子反馈膜。如果偏离这一最佳工艺条件,制备出的MCP防离子反馈膜膜层疏松、不连续,且通孔不能满足要求。 |
| 关 键 词： | 磁控溅射 微通道板（MCP） 防离子反馈膜 |
| 文章编号： | 1002-2082(2008)03-0360-04 |
| 收稿时间： | 2007-12-13 |
| 修稿时间： | 2007-12-13 |
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