电光全内反射调制 |
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引用本文: | Simon,HJ 钟国林.电光全内反射调制[J].应用光学,1991,12(3):47-49. |
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作者姓名: | Simon HJ 钟国林 |
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摘 要: | 研究各种无侵袭电光采样技术,尤其是研究电信号在半导体中的传播技术是有意义的。通常是根据施加电场所引起的寻常光线和非常光线的指数变化来讨论电光效应,这种变化与外加电场成正比。调制电场和光场之间电光晶体中的相互作用产生光场的垂直分量。把电光晶体放在交叉偏振器之间,这种效应可以转换为一种强度调制。
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关 键 词: | 电光 全内反射 调制 晶体 电场 |
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