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六齿硅节点、阴离子有机框架化合物的合成
引用本文:徐智策,张博颖,乔山林.六齿硅节点、阴离子有机框架化合物的合成[J].高分子通报,2018(6).
作者姓名:徐智策  张博颖  乔山林
作者单位:河北科技大学
摘    要:最近Arne Thomas小组利用可逆的Si—O化学反应,成功实现了一锅法合成基于八面体二负离子SiO_6构筑的硅酸盐有机框架聚合物,打破了硅基晶体框架材料仅在高压相中存在六齿配位结构的情况,证实低压条件下也可以实现六齿配位聚合物的合成,并且所得聚合物BET比表面积高达1276m~2·g~(-1)。通过高分辨率粉末X射线衍射、密度泛函理论和成对分布函数,所得阴离子框架聚合物——M_2Si(C_(16)H_(10)O_4)1.5]存在2D和3D两种晶体结构,其中反离子M为Li~+、Na~+、K~+,C_(16)H_(10)O_4为9,10-二甲基蒽-2,3,6,7-四唑。

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