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微型硅晶体传感器残余变形的云纹干涉法测试
引用本文:刘杰,戴福隆,温秀梅,高飞. 微型硅晶体传感器残余变形的云纹干涉法测试[J]. 实验力学, 2002, 17(Z1): 127-131
作者姓名:刘杰  戴福隆  温秀梅  高飞
作者单位:1. 清华大学,工程力学系,北京,100084
2. 中国工程物理研究院,四川,绵阳,610003
摘    要:硅是微电子学领域最重要的半导体材料,在硅器件的生产过程和实际应用中造成的硅片内部残余应力将极大地影响硅器件的使用性能和使用寿命.本文利用云纹干涉法和载波技术对微型硅晶体传感器的残余变形进行了研究,获得了理想的实验结果.

关 键 词:云纹干涉法  硅晶体  载波  残余变形

Study on micro silicon transducer using Moiré Interferometry
Abstract:
Keywords:
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