|
|||||
|
|
| 铜氧化物超导体两能隙问题的电子拉曼散射理论研究 | |
| 作者姓名： | 路洪艳 陈三 刘保通 |
| 作者单位： | 淮北师范大学物理与电子信息学院,淮北 235000 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:10974086,60806015),南京固体微结构国家实验室开放基金(批准号:M22010)和安徽省教育厅自然科学基金(批准号:KJ2010B184)资助的课题. |
| 摘 要： | 电子拉曼实验表明在空穴型掺杂的铜氧化物超导体中存在两能隙行为,即在欠掺杂区,随着掺杂浓度的降低,一个能隙逐渐增大而且在超导转变温度以上仍然存在,而另一个能隙逐渐减小且在DDW态依然存在.解释两能隙行为非常重要因为它与赝能隙的机理密切相关.本文计算了超导序和d-density-wave(DDW)序竞争机理下相图上不同区域的电子拉曼谱,发现欠掺杂区能隙表现出两能隙行为,与实验一致.特别地,本文发现B1g峰对应能量由超导和DDW序共同决定,且随着掺杂浓度的降低而增大,在D
关键词：
两能隙
电子拉曼散射
竞争序 |
| 关 键 词： | 两能隙 电子拉曼散射 竞争序 |
| 收稿时间： | 2010-08-30 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ | |