| 电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究 |
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| 作者姓名： | 周航 崔江维 郑齐文 郭旗 任迪远 余学峰 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院新疆理化技术研究所, 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011;2. 中国科学院大学, 北京 100049 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号: 11475255)资助的课题. |
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| 摘 要： | 随着半导体技术的进步, 集成小尺寸绝缘体上硅器件的芯片开始应用到航空航天领域, 使得器件在使用中面临了深空辐射环境与自身常规可靠性的双重挑战. 进行小尺寸器件电离辐射环境下的可靠性试验有助于对器件综合可靠性进行评估. 参照国标GB2689.1-81恒定应力寿命试验与加速寿命试验方法总则进行电应力选取, 对部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管进行了电离辐射环境下的常规可靠性研究. 通过试验对比, 定性地分析了氧化物陷阱电荷和界面态对器件敏感参数的影响, 得出了氧化物陷阱电荷和界面态随着时间参数的变化, 在不同阶段对器件参数的影响. 结果表明, 总剂量效应与电应力的共同作用将加剧器件敏感参数的退化, 二者的共同作用远大于单一影响因子.
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| 关 键 词： | 可靠性 绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管 总剂量效应 电应力 |
| 收稿时间： | 2014-08-19 |
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