| LaTiO高k栅介质Ge MOS电容电特性及Ti含量优化 |
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| 作者姓名： | 徐火希 徐静平 |
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| 作者单位： | 1. 黄冈师范学院电子信息系, 黄州 438000;
2. 华中科技大学光学与电子信息学院, 武汉 430074 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号: 61274112)、湖北省自然科学基金(批准号: 2011CDB165)和黄冈师范学院科研项目(批准号: 2012028803)资助的课题. |
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| 摘 要： | 采用共反应溅射法将Ti添加到La_2O_3中,制备了LaTiO/Ge金属-氧化物-半导体电容,并就Ti含量对器件电特性的影响进行了仔细研究.由于Ti-基氧化物具有极高的介电常数,LaTiO栅介质能够获得高k值;然而由于界面/近界面缺陷随着Ti含量的升高而增加,添加Ti使界面质量恶化,进而使栅极漏电流增大、器件可靠性降低.因此,为了在器件电特性之间实现协调,对Ti含量进行优化显得尤为重要.就所研究的Ti/La_2O_3比率而言,18.4%的Ti/La_2O_3比率最合适.该比率导致器件呈现出高k值(22.7)、低D_(it)(5.5×10~(11)eV~(-1)·cm~(-2))、可接受的J_g(V_g=1V,J_g=7.1×10~(-3)A·cm~(-2))和良好的器件可靠性.
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| 关 键 词： | Ge MOS LaTiO 界面质量 k值 |
| 收稿时间： | 2015-09-12 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
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