(GaAs)n(n=1-4)原子链电子输运性质的理论计算 |
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作者姓名: | 柳福提 张淑华 程艳 陈向荣 程晓洪 |
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作者单位: | 1. 宜宾学院 物理与电子工程学院, 宜宾 644000;
2. 宜宾学院 化学与化工学院, 宜宾 644000;
3. 四川大学 物理科学与技术学院, 成都 610064 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(批准号:11174214,11204192)、宜宾学院计算物理四川省高等学校重点实验室开放课题基金(批准号:JSWL2015KF02)和宜宾学院重点科研项目(批准号:2015QD03)资助的课题. |
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摘 要: | 本文利用密度泛函理论结合非平衡格林函数的方法, 对 (GaAs)n(n=1-4)直线原子链与Au(100)-3×3两半无限电极耦合构成Au-(GaAs)n-Au纳米结点的电子输运性质进行了第一性原理计算. 在各结点拉伸过程中, 对其结构进行了优化, 得到各结点稳定平衡结构时Ga-As的平均键长分别为0.220, 0.224, 0.223, 0.223 nm, 平衡电导分别为2.328G0, 1.167G0, 0.639G0, 1.237G0; 通过对结点投影态密度的计算, 发现电子传输主要是通过Ga, As原子中px与py电子轨道相互作用形成的π键进行的. 在0-2 V的电压范围内, 对于(GaAs)n(n=1-3)的原子链的电流随电压增大而增大, I-V曲线呈线性关系, 表现出类似金属导电行为; 对于(GaAs)4原子链在0.6-0.7 V, 0.8-0.9 V的电压范围内却存在负微分电阻现象.
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关 键 词: | 砷化镓 原子链 电子输运 非平衡格林函数 |
收稿时间: | 2015-10-29 |
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