| 700℃退火下铝调制镍硅锗薄膜的外延生长机理 |
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| 作者姓名： | 平云霞 王曼乐 孟骁然 侯春雷 俞文杰 薛忠营 魏星 张苗 狄增峰 张波 |
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| 作者单位： | 1. 上海工程技术大学基础学院, 上海 201600;
2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号: 61306126, 61306127)、中国科学院创新基金(批准号: CXJJ-14-M36)和上海市自然科学基金(批准号: 14ZR1418300)资助的课题. |
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| 摘 要： | 文章研究了在700℃退火下,铝插入层调制镍和硅锗合金反应形成单相镍硅锗化物的生长机理.透射电镜测试结果表明,镍硅锗薄膜和硅锗衬底基本达到赝晶生长;二次质谱仪和卢瑟福沟道背散射测试结果表明,在镍硅锗薄膜形成的过程中,铝原子大部分移动到镍硅锗薄膜的表面.研究结果表明,铝原子的存在延迟了镍和硅锗合金的反应,镍硅锗薄膜的热稳定性和均匀性都得到了提高.最后,基于上述实验结果给出了铝原子调制形成外延镍硅锗薄膜的生长机理.
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| 关 键 词： | 外延生长机理 铝插入层 镍硅锗薄膜 |
| 收稿时间： | 2015-07-29 |
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