| CdZnTe像素探测器的电输运性能 |
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| 作者姓名： | 南瑞华 王朋飞 坚增运 李晓娟 |
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| 作者单位： | 1. 西安工业大学材料与化工学院, 陕西省光电功能材料与器件重点实验室, 西安 710021;
2. 西北工业大学材料学院, 凝固技术国家重点实验室, 西安 710072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（批准号：51502234,51602242）和凝固技术国家重点实验室（西北工业大学）开放课题（批准号：SKLSP201410）资助的课题. |
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| 摘 要： | 碲锌镉(CdZnTe)是一种性能优异的室温核辐射半导体探测器材料,广泛应用于核安全、核医学以及空间科学等领域.然而,传统的CdZnTe平面探测器受制于"空穴拖尾"效应的影响,探测性能有待改善.采用改进的垂直布里奇曼法生长的In掺杂Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te单晶制备出单载流子收集的4×4像素阵列探测器,通过电流-电压(I-V)测试和γ射线能谱响应测试,研究了像素探测器的电学性能和载流子电输运性能,随之与相应的CdZnTe平面探测器进行了性能对比.结果表明,CdZnTe像素探测器的电阻率约为1.73×10~(10)?·cm,且施加100 V偏压后单像素点的最大漏电流小于2.2 nA;当施加偏压升高至300 V时,单像素点对~(241)Am@59.5 keV的γ射线的最佳能量分辨率可达5.78%,探测性能优于相同条件下制备的CdZnTe平面探测器.
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| 关 键 词： | 碲锌镉 像素探测器 γ射线能谱响应 |
| 收稿时间： | 2017-04-04 |
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