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| CaCu3Ti4O12 陶瓷介电模量响应特性的研究 | |
| 作者姓名： | 李盛涛 王辉 林春江 李建英 |
| 作者单位： | 西安交通大学, 电力设备电气绝缘国家重点实验室, 西安 710049 |
| 摘 要： | 由于CaCu3Ti4O12巨介电常数陶瓷的低频区直流电导较大, 本文采用模量 M"-f频谱表征与分析了低频和高频的两个松弛极化过程. 研究认为, 这两个特征峰属于晶界区Schottky 势垒耗尽层边缘深陷阱的电子松弛过程, 其中高频松弛峰起源于晶粒本征缺陷的电子松弛过程, 而低频松弛峰则为与氧空位有关的松弛极化过程. 对于CaCu3Ti4O12这类低频下具有高直流电导的陶瓷材料, 采用模量频谱能更有效地分析研究其损耗极化机理.
关键词：
3Ti4O12陶瓷')" href="#">CaCu3Ti4O12陶瓷
模量
松弛过程
电导 |
| 关 键 词： | CaCu3Ti4O12陶瓷 模量 松弛过程 电导 |
| 收稿时间： | 2012-06-21 |