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| Zn1-xTMxO (TM=Al,Ga, In)导电性能的模拟计算 | |
| 作者姓名： | 侯清玉 董红英 马文 赵春旺 |
| 作者单位： | 1. 内蒙古工业大学理学院, 呼和浩特 010051; 2. 内蒙古工业大学化工学院, 呼和浩特 010051; 3. 内蒙古工业大学材料学院, 呼和浩特 010051 |
| 摘 要： | 基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法, 构建了未掺杂与相同掺杂浓度的Zn1-xTMxO (TM=Al, Ga, In) 超胞模型,分别对模型进行了几何结构优化、态密度分布和能带分布的计算. 结果表明, 分别高掺杂 (Al, Ga, In) 相同原子分数3.125 at%的条件下, In掺杂对ZnO导电性能最好的结果, 计算结果和实验结果相一致.
关键词：
(Al,Ga,In) 高掺ZnO
导电性能
第一性原理 |
| 关 键 词： | (Al Ga In) 高掺ZnO 导电性能 第一性原理 |
| 收稿时间： | 2013-01-29 |